C语言操作S29GL256S11指令详细说明

C语言操作S29GL256S11指令详细说明

笔者使用的是MEIF接口对FLASH接口进行操作，EMIF初始化和系统初始化与本文无关，故不再详细介绍，本文只列举对S29GL256S11的操作。其实SPI操作与EMIF操作类似，只是调用的接口不一样而已。

        指令和地址关系如图：

1.FLASH擦除操作

   全片擦除的指令顺序（最好在指令间延迟一会儿）：

        1.地址0x555写入0xAA

        2.地址0x2AA写入0x55

        3.地址0x555写入0x80

        4.地址0x555写入0xAA

        5.地址0x2AA写入0x55

        6.地址0x555写入0x10

        7.等待擦除信号完成，我就没有去判断DQ引脚状态，直接读出地址数据是否为0XFF，有点不严谨，应该加一个超时检测，不然如果出问题会一直卡死在这儿，但是只是测试使用。

//整片擦除
void Nor_Flash_Erase()
{EMIF_WRITE(0x555,0xAA);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x2AA,0x55);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x555,0x80);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x555,0xAA);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x2AA,0x55);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x555,0x10);platform_delay_us(10);while((EMIF_READ(0x0) != 0xFFFF)&&(EMIF_READ(0x1000) != 0xFFFF));
}

2.写入操作（因为我在使用的时候是对FLASH空间进行验证，所以采取了整片FLASH写入操作）

        1.地址0x555写入0xAA

        2.地址0x2AA写入0x55

        3.地址0x555写入0xA0

        4.地址是需要写入的地址 写入待写入的数据

        5.最后的检测应该是判断写入状态，我也没有去判断DQ引脚，直接读出写入数据是否完成，也没有加超时检测。

//整片写入
void Nor_Flash_Write()
{int i = 0;for(i=0;i<0xFFFFFF;i++){EMIF_WRITE(0x555,0xAA);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x2AA,0x55);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(0x555,0xA0);platform_delay_us(10);EMIF_WRITE(i,0x1234);while( EMIF_READ(i) != 0x1234);}
}

3.读出操作（因为我在使用的时候是对FLASH空间进行验证，所以采取了整片FLASH读出操作并校验，校验在实际使用可以删除）

        1.读出操作的时候，直接读出地址就好了

//整篇读出
void Nor_Flash_Read()
{int i = 0;int data =0;for(i=0;i<0x1000000;i++){data = EMIF_READ(i);if(data != 0x1234){printf("Error Found! %drn",i);}}}