关于RZM002P02T2L

关于RZM002P02T2L

RZM002P02T2L
品牌： ROHM Semiconductor
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
描述：P-Channel 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V Drive Pch Mosfet Surface Mount - VMT-3
技术参考：
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 200mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.2V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 115pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
封装形式Package： VMT
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压：VDSS 20V
连续漏极电流ID： 0.2A