处于交叠区的中心UE,作为边缘UE处理,并通过上行动态ICIC技术(R8R9)。
上行动态ICIC技术是通过X2接口传送高干扰指示HII和过载指示OI信息。
高干扰指示HII:指出分配给边缘用户的可能会造成较大干扰的PRB,通过资源调度避免碰撞,减少干扰。
过载指示OI:OI用于指出那些已经受到较大干扰的PRB,防止其再被分配给边缘用户。
OI和HII都是事件触发,触发主要基于HII门限和OI门限。OI有2个门限值,用于区别3类干扰等级。因此HII只要1bit,而OI则需要2~5bit构成。
HII和OI最小更新周期为20ms,都具有频率选择性,颗粒度为1个PRB,对不同的邻小区可发送不同的HII。
参考:
ICIC(百度百科) ===
LTE ICIC原理介绍 === .html
LTE干扰抑制技术 === .html
ICIC技术在LTE技术中的应用 === .html?rec_flag=default&sxts=1540791973425
本文发布于:2024-02-01 04:32:14,感谢您对本站的认可!
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