1、磁芯里面的磁通由3部分组成：主磁通、边缘磁通与旁路磁通；其中边缘磁通和旁路磁通会额外产生铜损；
2、补充说明边缘磁通和旁路磁通的说明：
根据之前陈为老师《高频电感气隙的铜损分析与气隙布置》的论文说明，文中对EE和EI磁芯的磁势做了详细分析；
可能中间插入一段内容会容易理解一点为什么H会是这样的：严格来说上面H的图是磁位差的分布，基于文中的假设，磁势是一条从0到NI的斜线，而磁压降却是由3段线段组成，两条曲线相减，即磁位差=磁势-磁压降，就是上图的分布，如图3所示；
但是这个分布没法分离散磁通和旁路磁通的各自影响，只能说明是一起导致总的效果；但是个人感觉文中应该还有个隐含的假设：气隙大小一样位置不同，散磁通一样；不确定这条假设的正确性；
3、后续说的新型结构，就是在气隙旁引入一条低磁导率的磁路，这个就没什么特别要说的；
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