伟凌创芯SRAM静态存储芯片SCLPSRAC1

伟凌创芯SRAM静态存储芯片SCLPSRAC1

目前针对不同的应用市场，SRAM产品的技术向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。以及降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。凡是需要快速存取数据的应用，特别是在要求初始存取等待时间很短的情况下，都会考虑使用sram.

国产SRAM厂家伟凌创芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM静态存储芯片，存储器容量大小为512Kbit。它在内部组织为64K字，每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。

SCLPSRAC1工作温度范围：-40℃-+85℃，电源电压范围2.7V~3.6V，工作电流最大2mA@1MHz，待机电流最大15µA@25℃，具备SPI兼容接口，最大时钟频率20MHz。

在选择SRAM芯片时，会面对众多的选择方案。在某些场合，选择是有限的。许多已经确立了自己稳固地位的处理器都包含了支持特殊SRAM架构的存储控制器。新型处理器的设计则更灵活。为了决定最佳的可选方案，至关重要的是确定存储器子系统（即兆比特每秒、初始延迟、运行功耗、待机功耗、成本等等）的优先级以及系统的工作特性（读/写操作模式、工作频率等等）。