TPH1R204PL 40V150A 移动储能 N沟MOS管

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TPH1R204PL 40V150A 移动储能 N沟MOS管

TPH1R204PL 40V150A 移动储能 N沟MOS管

特性:

1.高速开关

2.小门电荷:QSW=17常闭(典型)

3.小电荷输出(典型值:56)

4.低漏源导通电阻:RDS(on)=1.0 mΩ(典型)(VGS=10伏)

5.低泄漏电流:IDSS=10μA(最大值)(VDS=40 V)

6.增强模式:Vth=1.4至2.4 V(VDS=10 V,ID=0.5 mA)

应用领域:

快充移动电源

蓝牙音频产品

便携POS终端

汽车照明

笔记本电脑

本文发布于:2024-02-02 20:56:49,感谢您对本站的认可!

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标签:储能   TPH1R204PL   MOS   V150A
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