Fairchild助力古瑞瓦特光伏逆变器业界领跑

Fairchild助力古瑞瓦特光伏逆变器业界领跑

美国加州圣何塞，2016年1月7日，全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild今日宣布其650V沟槽型场截止IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆变器中，该公司是家用和商用逆变器的顶级制造商。由于使用了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号相比提高了20%。

古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示：“我们的新一代太阳能逆变器在业界率先采用Fairchild的TO2474L封装IGBT，通过使用IGBT晶圆和4L封装工艺新技术，我们能够通过大幅提高驱动信号的开关频率，充分利用IGBT的特性，从而获得卓越的安全工作区，而且不会显著增加半导体的损耗。此外，我们还可以使用更小的磁性元件，从而显著减小系统尺寸并增强性价比。”

Fairchild高功率工业事业部副总裁赵进说：“古瑞瓦特这样的业界领导者在其超高效率的下一代光伏逆变器中采用我们的650V场截止沟道IGBT，这为我们的IGBT特性和功能树立了好的榜样，这些IGBT采用Fairchild的创新型场截止技术，为要求较低导通和开关损耗的光伏逆变器、UPS、电焊机、通信、ESS和PFC应用提供最优性能。”

古瑞瓦特总裁丁永强表示：“提高逆变器的效率和功率密度是古瑞瓦特研发人员一直以来的目标。半导体技术的进步显著减少了我们的逆变器所需的金属部件的比例，这会导致多种好处，包括较小的产品尺寸、较轻的重量、更低的成本，和更方便的运输和存储。我们会基于这次成功继续进步，并继续在我们的光伏逆变器开发中采用先进技术，从而为客户提供更多价值以及更佳的效率和功率密度。我们采用更高的开关频率开发了新的5K-HF逆变器，这是一个更优的布局，使用新的磁性材料，提供业界领先的效率，功率密度提高了20%以上。Fairchild的650V沟槽型场截止IGBT采用的新IGBT技术和创新型封装，帮助我们实现了这些。

本文转自d1net（转载）