1.2 NAND操作

1.2 NAND操作

Write：也称为Program。给控制栅（Control Gate）施加高电压，使channel中的电子越过衬底的二氧化硅层（SiO2）进入浮栅极（Floating Gate）。这个过程称为隧穿效应（Tunnel Effect）。

Read：读取数据时，通过word line给控制栅（Control Gate）施加从小到大的电压，但不用隧穿电压那么高。Control Gate中电子的多少会影响加压时对channel电流ON/OFF。判断channel中电流流动(ON)时的阈值电压，来感应Floating Gate中电子的数量，确定cell中的数据并通过bit line传送到page buffer。一个word line对应一个page，所以一个page buffer大小16k+2k。

Erase：反向加压，就是不对Control Gate施加电压，而是对衬底的 P型半导体（P-Well）施加电压，会反向让Control Gate中的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来，这个过程称为穿隧释出（Tunnel Release）。Erase后Floating Gate中没有捕获电子，Read时所用电压阈值低，获取的数据TLC为111，所以我们从SSD读数据时在binary的表现是十六进制的F。