杂质半导体 由 P型: 在本正半导体中加入了3价元素 B或 AL 空穴多 自由电子少
N型: 在本证半导体中加入了5价元素 p 或 As(申);
温度对载流子的影响:
漂移运动 :少数载流子的运动,阻止扩散运动,由内电场产生
**因为飘逸是少子的运动,所以温度升高 空穴和电子数量都增大 ,少子的浓度增大 所以漂移增大 反向饱和电流增大 正向饱和电压减小 **
扩散运动:由PN结的多数载流子的浓度差产生
答案为B
特点:单线导电性
正向特性:死区电压:增大电压但不产生电流的电压范围 ;开启电压:当电压增加到某个值时 电流急剧增大
反向特性:反向饱和电流:理想二极管反向饱和电流为0,正向死区电压为零
2.判断二极管正负极: P级位证 N级为负
3.确定二极管两端电压 :假设不管电阻电压
4.确定二极管状态:如果P极电压大于N级则导通;如果N极电压大于P级则截止
5.判断U0的电压值
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当加入正向电压时,和二极管的正向特性一样;
反向击穿区:当加反向电压时,当电压增加到某个值时 电压几乎不变但电流 变化很大
例题一:
例题二:
解题思路:Dz1导通所以是导通电压 ,Dz2是反向电压 所以是稳压值
例题三:
本文发布于:2024-02-01 18:10:56,感谢您对本站的认可!
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