模拟电子技术——二极管、三极管与场效应管

模拟电子技术——二极管、三极管与场效应管

半导体二极管

 一、二极管的伏安特性

        1、正向特性（二极管正偏）：

                死区电压（门槛电压）：二极管的正向电压大于某一特定值的时候，二极管刚好能导通

                                eg：硅二极管死区电压典型值为0.5v

                正向导通电压：二极管的正向电压大于某一特定值的时候，二极管端的电压基本不变

                                eg：硅二极管正向导通电压为0.6v~0.8v，典型取值为0.7v

        2、反向特性（二极管反偏）：

                反向饱和电流：二极管加反向电压时，较大范围内的反向电压所对应的反向电流基本不变

                电击穿：反向电压增大到某一数值时，反向电流增大，会发生电击穿，电击穿不会破坏结构

                热击穿：反向电压继续增大到某一数值，反向电流进一步骤增，会发生热击穿，热击穿会破坏结构

半导体三极管（BJT管或晶体管）

一、组成——三个区、两个PN节和三个外引铝电极

        1、三个区

        （1）发射区：为了有足够的电子发射，所以在发射区高浓度参杂

        （1）基区：相当于从发射区射出电子到集电区的过渡地带，为了减少基区复合发射区射出的电子并减少基极电流，则需要把基区参杂浓度降低并制作的很薄

        （1）集电区：集电区就像的蓄水池，这个蓄水池要收集大量由发射区射来的电子，以形成较大集电极电流，则需把集电区面积做的很大且参杂浓度介于发射区和基区之间

        2、两个PN结

        （1）发射结：基极和发射结之间的PN结

        （2）集电结：基极和集电结之间的PN结

        3、三个外引铝电极：由三个区分别向外各引出一个铝电极

        （1）发射极

        （2）基极

        （3）集电极

二、类型——NPN型和PNP型

        发射区和集电区类型相同。

        发射极箭头方向表示发射结正偏时的电流方向，同时也表示P型指向N型。

三、电流放大作用

         1、具有电流放大作用的外部条件

        （1）三极管特定的结构特点

        （2）发射结正偏

        （3）集电结反偏

        请看大佬文章：

(4条消息) 放大电路为什么要保证“发射结正偏，集电结反偏”？集电极和发射极电流等比例变化（放大）的本质原因是什么？_发射结正向偏置,集电结反向偏置_今年什么都要有的博客-CSDN博客

场效应管（Field Effect Transistor，FET）

一、分类

        1、按结构分类

        （1）结型场效应管（JunctionFET，JFET）

        （2）绝缘栅型场效应管即金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）

        2、按参与导电的载流子分类

        （1）N沟道器件——载流子为电子

        （2）P沟道器件——载流子为空穴

        3、按工作方式分类

        （1）增强型

        （2）耗尽型

二、结型场效应管

        结型场效应管有N沟道管和P沟道管，他们的导电沟道不同，但是原理类似，下面均以N沟道场效应管为例进行总结。

        1、结构

        2、工作原理简述

         

        （1）栅源电压Ugs对导电沟道的控制作用

                a、

        （2）漏源电压Uds对导电沟道的控制作用

        （3）Ugs-Uds共同对导电沟道的控制作用